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长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的处理方法以及字线结构的形成方法“，公开号CN117334633A，申请日期为2022年6月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构的处理方法以及字线结构的形成方法，其中，所述半导体结构的处理方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括凹槽以及位于所述凹槽中的金属层，所述金属层的顶表面的边缘位置所述金属层的所述顶表面的中心位置；使所述半导体结构处于旋转状态；以及，对所述半导体结构进行至少一次金属表面平坦化处理，以使处理后的所述金属层的所述顶表面比处理前的所述金属层的所述顶表面更加平整；其中，所述至少一次金属表面平坦化处理中的每次金属表面平坦化处理包括：采用试剂对所述金属层的所述顶表面进行刻蚀；以及，采用第二试剂对所述半导体结构进行清洗。
公司主要检测业务有氮气、氧气、天然气、氩气、氦气、氨气、氢气、压缩气体、电子工业用气体等气体检测、特种石油气路检测、管道气体腐蚀检测等。公司聘用了一批从事三方检测服务的实验室管理人员和技术人员，仪器方面拥有美国高麦仪器公司生产的GOW-MAC592气象色谱，硫化氢高温高压腐蚀实验系统，德国普发氦检漏仪ASD340D，此外还有氦离子色谱仪、电感耦合等离子体原子发射光谱仪ICP、安捷伦色谱仪、UV2450 型紫外分光光度计、PRA -200微库仑硫氯测定仪，在线微量气体含量监测设备，气路管道颗粒度在线监测设备等大型精密检测仪器，能够同时满足工业气体，高纯气体等气体的纯度检测，特种石油气路管道腐蚀试验，特种气路管道五大项现场检测等。
