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深圳回收芯片IC电子料东莞收购库存电子元件

更新时间:2024-12-24 00:29:08 编号:150309981
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KAIST表示,三星是在邀请FinFET技术、首尔大学教授李钟浩(Lee Jong-ho)向公司工程师展示FinFET技术原理时盗取了这项技术。李钟浩是KAIST合伙人之一。KAIST表示,英特尔已意识到他们才是FinFET技术的真正,并取得了授权使用这项技术,但是三星并未这么做。KAIST还认为高通、台积电也侵犯了FinFET技术专利。

兆芯表示,经联想开天M6100实测以及用户体验得到的结论:兆芯CPU整机完全可以满足一般用户的日常办公和轻娱乐使用需求。

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“三星在分文未花的情况下盗取了李钟浩的发明,从而削减了开发时间和成本。随后,三星在没有取得授权或支付适当赔偿金的情况下继续使用李钟浩的发明,”KAIST称。在5纳米之后的3纳米,若依摩尔定律进行,将在2022年后进入量产阶段,而台积电将在南科持续扩建Fab 15新厂第11期及第12期工程,业界认为,台积电3纳米应该会以EUV微影技术为主力的制程节点,不仅成本可望大幅降低,还能提供更好的功耗。

虽然摩尔定律(Moore’s Law)能否持续推进,产业界众说纷云,但晶圆代工龙头台积电靠着技术上的创新,可望让制程依循摩尔定律,持续推进到5纳米及3纳米世代。为此,台积电将以南科园区为据点,投入5,000亿元资金,建立支援5纳米及3纳米的庞大产能。
半导体制程竞争激烈,台积电目前面临的不仅是韩国三星电子的庞大抢单压力,台积电大客户之一的处理器大厂英特尔,也持续透露对晶圆代工市场抱持兴趣的看法。因此,台积电要在晶圆代工市场维持龙头大厂地位,除了要拥有庞大的产能因应不同客户需求外,在制程的推进上亦要竞争同业才行。

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科技部长杨弘敦近日抢先发布台积电将投入5,000亿元,建立5纳米及3纳米庞大产能的投资规画。台积电对此表示,与科技部有针对后续扩产计划进行沟通,包括讨论到建地及水电供应等问题,但5纳米及3纳米仍在规划中,尚无法说明及评论相关细节。
台积电第4季开始量产新一代10纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程,支援10纳米产能的中科12寸厂Fab 15第5期工程,已正式进入量产阶段,而第6期工程将在明年上半年进入量产,第7期工程则会在明年下半年放量投片。
台积电预期7纳米量产的2年后,也就是2020年就可顺利进入5纳米世代,并已开始进行5纳米制程的研发。除了在材料上可能有所改变,FinFET结构也可能变更,5纳米将是台积电首度将极紫外光(EUV)微影技术导入量产的主要制程节点。因此,台积电将在南科园区Fab 14第8期至第10期,规划建立5纳米制程庞大产能,全部完工后月产能可望上看10万片规模。

台积电将10纳米及7纳米视为同一制程世代,有9成以上的设备可以共通互用,所以,Fab 15的第5期至第7期等3座晶圆厂,都可支援10纳米及7纳米制程。台积电现已替联发科、苹果、海思等大客户代工10纳米手机芯片或应用处理器;至于7纳米的量产时间点将落在2017年底、2018年初,包括可程式逻辑闸阵列(FPGA)大厂赛灵思(Xilinx)、绘图芯片大厂辉达(NVIDIA)等,已决定采用台积电7纳米生产新一代芯片。

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