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新的AS5172A和AS5172B系统级芯片(SoC)是360度非接触式的旋转磁位置传感器，能够提供14位高分辨率的角度测量。根据汽车安全标准ISO26262，这两款传感器被开发为SEooC设备，并以广泛的片上自诊断系统为特色。这使AS5172A/B成为对安全性有较高要求的汽车应用的理想选择，帮助汽车系统满足别的ASIL安全要求。
借助霍尔传感技术，AS5172A/B能够在圆周内正交分布的传感器阵列来测量磁通量密度，并补偿消除外部杂散磁场的影响，提供一个稳健的14位(0.022° 精度)传感器阵列和模拟前端为中心的稳健结构补偿外部的杂散磁场。AS5172A/B也能够通过编程以支持低至0-10°的全运动转角范围，为应用提供佳分辨率。

此外，AS5172A / B组件中的PSI5接口符合PSI5新标准1.3和2.1的规定。
经AEC-Q100认证，AS5172A/B能够支持许多汽车远程位置传感应用，包括刹车和油门踏板位置感应、节流阀和节气门、转向角传感器、底盘悬挂高度传感器、废气再循环(EGR)阀和油位测量系统。玉溪手机主板回收公司保山昭通回收报废手机主板

高灵敏度的霍尔传感器前端还能使用小型且低成本的磁铁，并支持10-90mT的宽磁场输入范围。只需一个围绕封装中心旋转的简单两极磁铁就能几乎同步地提供磁铁角度位置的信息。磁铁可被置于设备上方或下方。
艾迈斯半导体位置传感器市场总监Thomas Mueller表示：“汽车客户不断对接口和安全标准提出更高要求，AS5172A/B磁角度位置传感器的推出体现了艾迈斯半导体为满足客户需求所付出的不懈努力。具备PSI5接口和稳健嵌入式自诊断功能的AS5172A/B将成为帮助OEM厂商在远程角位置传感应用中达到高ASIL安全等级的佳解决方案。”

AS5172A/B可在4V 至16.5V的宽电压范围内运作，并支持高达+20V的过压保护。此外，电源引脚在高达-18V的反极情况下仍能受到保护。AS5172A/B也可以借助器件上的VDD引脚通过单线UART连接PSI5接口实现简易编程，减少应用编程连接器的引脚数量。

AS5172采用两种封装，TSSOP14封装(AS5172B)和SIP封装(AS5172A)。SIP封装(系统封装)集成了AS5172传感器晶圆与去耦电容器以提升ESD和EMC性能，免除对PCB的需要，帮助减少整体系统成本。AS5172A能够在-40°C 至125°C温度范围内运行，AS5172B则能在-40°C 到 150°C范围内运行。玉溪手机主板回收公司保山昭通回收报废手机主板

市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高，而硅器件理论上正在接近性能上限。
不过，应用要求芯片有更高的性能，而硅器件已经达到了极限。近几年，人们更加关注环境、能效和污染问题，导致电气能效标准趋严，这不只限于大功率应用，还包括低负载应用。

宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好，被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中，兼容硅技术制程的碳化硅(SiC)是有前景的技术。碳化硅材料的电气特性使其适用于研制高击穿电压器件，但是，远普通硅器件的制造成本限制了其在中低压器件中的推广应用。在600V电压范围内，硅器件的性能非常好，性价比碳化硅器件。手机ic回收：http://jonywang.51sole.com/ 电池回收：http://dianchihuishou.xunshou.com/ 回收ic：http://.xunshou.com/ 电子回收：http://huishouic.xunshou.com/ 电池回收http://dianchihuishou.51sole.com/ 内存条回收http://guiqinwang.51sole.com/。

。对于600V电压以下碳化硅产品，以前市面上只有2吋或3吋碳化硅晶圆片，而且生产设备非常昂贵，因此，碳化硅器件的性价比不如硅器件。今天，4吋和6吋碳化硅晶圆片非常常见，市场对碳化硅器件需求增长可以让厂商降低制造成本。600V SiC MOSFET开始出现在市场上，具有令人感兴趣的特性，适用于各种应用领域。

更高的关键应用准许使用掺杂程度更高的超薄裸片，使其损耗比其它芯片低很多。碳化硅热导率比硅器件高出很多，因此，功率损耗散热导致的温降在整个器件上都比较低。因为碳化硅的熔点温度更高，可以工作在400 °C范围内，这些特性让人们更加看好碳化硅器件在开关速度、损耗、Rdson导通电阻、击穿电压方面的性能表现。事实上，击穿电压1200V的碳化硅器件深受市场欢迎。是否选择击穿电压的碳化硅器件，不仅要考虑电气特性，还要考虑碳化硅的制造成本硅器件玉溪手机主板回收公司保山昭通回收报废手机主板。