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射频连接器,是连接器的一个分支,有连接器的共性也有它的特殊性。同轴连接器有内导体和外导体, 内导体用于连接信号线而外导体不仅是信号线的地线(体现在外导体内表面),也起到屏蔽电磁场的作用(屏蔽内部电磁波对外部的干扰通过外导体内表面起作用,屏蔽外部电磁场对内部的干扰通过外导体外表面起作用),这种特点赋予同轴连接器很大的空间和结构优势。
射频同轴连接器在电性能上应像射频同轴电缆的延伸,或者说同轴连接器与同轴电缆连接时应尽量降低对被传输信号的影响, 故特征阻抗和电压驻波比是射频同轴连接器的重要指标,连接器的特征阻抗决定了与它连接的电缆的阻抗类型. 电压驻波比反映了连接器的匹配水平.
射频同轴连接器性能指标插损,指当一个元器件或系统插入连接到某个电路时,使该电路产生能量损耗,所损耗的能量为该元器件或系统的插损,往往以dB为单位。插损是随着频率的增加而增加的。这是由于趋肤效应而产生的射频泄露。
射频同轴连接器性能指标三阶互调,被动元器件(如连接器)产生的非线性的两个或多个频率的噪音。引起三阶互调的因素较复杂,需的设计和生产技术来降低或预防。
射频同轴连接器性能指标介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能,代表了电介质的化程度,也就是对电荷的束缚能力,介电常数越大,对电荷的束缚能力越强. 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与终介质中电场比值即为介电常数(permittivity),又称诱电率或相对电容率。如果有高介电常数的材料放在电场中,场的强度会在电介质内有可观的下降。一对电容板中充入介电常数为ε的物质后电容变大ε倍。电介质有使空间比起实际尺寸变得更大或更小的属性。例如,当一个电介质材料放在两个电荷之间,它会减少作用在它们之间的力,就像它们被移远了一样.当电磁波穿过电介质,波的速度被减小,波长变短.连接器常用的绝缘材料的介电常数一般在2-5间,如特氟龙是2.1,FR4是4.6。
射频螺纹连接器技术始于特高频(UHF)通信阶段的早期,在此之后,人们还开发了各种其他射频连接器,以满足通信行业的不断技术所催生出的各种需求。在20世纪90年代早期,射频制造商希望射频线缆组件的互连件能够跟得上新兴技术对更高功率和更高电压的要求。
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