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三代半导体分子束外延设备SiC和GaN薄膜生长真空机械分子泵MBE

更新时间:2024-10-06 09:47:08 信息编号:c53fp1a6obb862
三代半导体分子束外延设备SiC和GaN薄膜生长真空机械分子泵MBE
50000≥ 1台
  • 50000.00 元

  • 星海威

  • 半导体晶体生长

  • 半导体,分子束外延,真空设备,sic和GAN

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详情介绍

三代半导体分子束外延设备SiC和GaN薄膜生长真空机械分子泵MBE

产品别名
外延设备,分子束外延
面向地区
品牌
星海威
用途
半导体晶体生长
泵轴位置
卧式
加工定制
驱动方式
电动
输送介质
热水泵
叶轮吸入方式
单吸式
真空度
低真空度
深圳市星海威半导体分子束外延设备,可以促进sic和GaN薄膜的生长。分子束外延是一种特上个月的真空镀膜工艺,在适当的衬底和与合适的条件下,会沿衬底材料晶轴的方向逐渐逐层生长薄膜。
分子束外延设备广泛应用于电子工业,交通运输,光伏等领域,不仅可以用来制备现有的器件,还可以制备新器件。
技术特点:
1单腔/多片(较大3x8lnch)+洁净真空机械手搬运
2个盘立控温,控温精度高
3水平层流布气+分子泵排期,控制气体分布均匀
5工艺进展实时监控,控制参数

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