产品别名 |
吉时利Keithley,参数分析仪 |
面向地区 |
类型 |
接触式 |
|
品牌 |
吉时利Keithley |
材质 |
其它 |
加工定制 |
是 |
显示方式 |
数显式 |
用途 |
长度 |
使用方式 |
手持式 |
额定电压 |
12V |
产品认证 |
CCC |
Keithley4200-SCS
深圳中瑞仪科电子有限公司
长期 租售+维修+回收 二手仪器仪表
地址：深圳市宝安区沙井中心路18号高盛大厦3A16
回收：
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刘（+150*1943*5923-）
商品型号：4200-SCS
商品价格：面议或电议
美国吉时利KEITHLEY参数分析仪4200-SCS研究应用领域：
半导体材料和器件的研发—传统的半导体和微电子
器件和工艺的参数监控—半导体工艺线，生产
器件的建模（Modeling)—半导体器件的设计，集成电路的设计
可靠性和寿命测试—半导体器件可靠性研究
高功率MOSFET，BJT和III-V族器件（GaN，GaAs)的特性分析
纳米器件研究；
光电子器件的研究（LED，OLED等）；
非易挥发性存储器测试—Flash闪存，相变存储器（PRAM），铁电存储器（FeRAM)，阻变存储器（RRAM)等；
有机半导体特性分析
太阳能电池及光伏电池特性分析
确定样品的电阻率和Hall载流子浓度
氧化层厚度、栅面积、串联电阻、平带电容、电压、开启电压、体掺杂、有效氧化层电荷密度、可动电荷、金属-半导体功函数、德拜长度、体电势等。
标准C-V扫描：普通MOSFET，二极管和电容器；
MOScap：测量MOS电容器上的C-V，提取参数包括氧化层电容，氧化层厚度，掺杂浓度，耗尽深度，德拜长度，平带电容，平带电压，体电势，阈值电压，金属半导体功函数，有效氧化层电荷；
MOSFET：对一个MOSFET器件进行一个C-V扫描。提取参数包括：氧化层厚度，氧化层电容，平带电容，平带电压，阈值电压，掺杂浓度与耗尽深度的函数关系；
寿命：确定产生速度并进行寿命测试（Zerbst图）；
可动离子：使用BTS方法确定并提取平带电压参数确定可动电荷。包括对Hot Chuck热吸盘的控制。在室温下测试样品，然后加热后测试，然后再恢复至室温下以确定平带漂移电压，从而确定可动电荷；
电容：在金属-绝缘-金属（MIM）电容器上进行C-V扫描和C-f扫描，并计算出标准偏差；
PN结：测量P-N结或肖特及二极管的电容与其片置电压的函数关系；
光伏电池：测量一个发光太阳电池的正向和反向DC特性，提取参数，大功率，大电流，大电压，短路电流，开路电压，效率。同时执行C-V和C-f扫描特性；
BJT：在端-端之间测量电容（OV偏置情况下），Cbe，Cbc，Cec；
接线电容：测量晶圆上小的互相接线之间的电容；
纳米线：在两端的纳米线器件上进行C-V扫描；
闪存：在一个典型的栅极悬浮闪存器件上进行C-V测量。
碳纳米管、生物芯片/器件、碳纳米管FET、纳米线、分子线、分子晶体管、多管脚纳米格
超快I-V的源和测量在很多技术领域变得越来越重要，包括化合物半导体，中功率器件，中功率器件，非易挥发性存储器，MEMS（微机电器件），纳米器件，太阳电池和CMOS器件。
脉冲I-V对器件进行特性分析可以实现用传统DC方法无法实现的任务，比如，对纳米器件的自热效应的克服，对于高K栅极电介质器件中因电荷陷阱效应而导致的磁滞效应般的电流漂移。
瞬态I-V测试使得科研人员来获取高速的电流或电压波形。脉冲信号源可用于器件可靠性中的应力测试，或者以多阶梯脉冲模式对存储器件的擦、写操作
通用的脉冲I-V器件测试
CMOS器件特性分析：电荷泵，自热效应，电荷陷阱，NBTI/PBTI分析
非易挥发性存储器：闪存，相变存储器
化合物半导体器件和材料：LED等
纳米器件和MEMS等
