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再来看目前广泛应用于存储设备的NAND闪存。NAND闪存分为SLC、MLC、TLC等多种分支颗粒。从寿命上说，NAND是有平均读写次数的寿命的，即使是性能好的SLC NAND颗粒，其寿命也比DRAM小得多。虽然可以通过设置缓冲空间、平衡磨损算法、提前设置寿命预警来确保NAND不会在使用时“掉链子”、引发数据丢失，但寿命依旧是NAND在使用中不可回避的问题。
所谓性能鸿沟，就是上下两级系统存在较大的性能差距，使得级次缓存的设计方案很难体现出佳的效果堪称天堑;在NAND和DRAM上，这个鸿沟相比DRAM和HDD之间的性能鸿沟略有缩小，但是本质上的变化并不明显。

此外，受制于存储原理，NAND延迟较高，尤其是写入时存在充电时间，怎么也快不起来，目前只能被用作外部存储设备。但在今天，由于之前有性能更低的HDD机械硬盘的存在，基于NAND颗粒的SSD仍旧让用户感受到了性能的提升。举例来说，NAND设备目前的快速度差不多在2GB/s～3GB/s，处理器的内存带宽已经突破50GB/s大关，两者间差了一个数量级。延迟上，DRAM只有十几纳秒，相比NAND的约一百微秒，快了好多个数量级。

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但这些技术不是还深藏在实验室中，就是刚在PPT上公诸于众。到了去年，作为存储业界的企业之一的英特尔和美光，终于将其中一种全新的存储技术推向了前台，这种技术同时拥有和非易失性两种特性，这就是今天的主角：3D XPoint!
存储产业的颠覆者 一篇文章看穿3D Xpoint的秘密，实际上，内存和外部存储之间的性能差距过大，已经成为影响用户体验继续提升的瓶颈。所以研究机构一直在提出很多解决方案，试图解决这个鸿沟，比如相变存储器、赛道存储器、全新的高速磁存储设备等。
目前英特尔和美光对3D XPoint应用的物理特性闭口不谈，资料更是匮乏。一些不具名的介绍资料显示，3D XPoint使用的标记数据状态的物理值不是业内常用的电压、也不是电流，更不是目前还在实验室内的磁极，而是电阻。
存储产业的颠覆者 一篇文章看穿3D Xpoint的秘密

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3D XPoint的结构非常简单。它由选择器与内存单元共同构成，二者则存在于字线与位线之间(因此才会以‘交叉点’来定名)。在字线与位线之间提供特定电压会激活单一选择器，并使得存储单元进行写入(即内存单元材料发生大量属性变化)或者读取(允许检查该存储单元处于低电阻还是高电阻状态)。3D XPoint的工作原理与NAND存在着根本性的不同。NAND通过绝缘浮置栅极捕获不同数量的电子以实现bit值定义，而3D XPoint则是一项以电阻为基础的存储技术成果，其通过改变单元电阻水平来区分0与1。手机ic回收：http://jonywang.51sole.com/ 电池回收：http://dianchihuishou.xunshou.com/ 回收ic：http://.xunshou.com/ 电子回收：http://huishouic.xunshou.com/ 电池回收http://dianchihuishou.51sole.com/ 内存条回收http://guiqinwang.51sole.com/。

存储产业的颠覆者 一篇文章看穿3D Xpoint的秘密猜测，写入操作要求具备较读取更高的电压，因为如果实际情况相反，那么3D XPoint就会面临着上在读取存储单元时触发大量材料变化(即写入操作)的风险。英特尔与美光双方并没有透露内部读取/写入的具体电压数值，不过根据得到的消息，其电压值应该低于NAND——后者需要利用约20伏电压来编写/擦除以创建出足够通过绝缘体的电场电子隧道。而这种较低的电压要求自然也能够使得3D XPoint拥有比DRAM以及NAND更低的运行功耗。

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